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我國創(chuàng)“多重鰭高電晶體” 晶片多塞2千萬顆還更省電
發(fā)布時間：2013-12-11 10:21:40 點擊：
半導(dǎo)體界的戰(zhàn)爭日新月異，製程也逐漸從傳統(tǒng)平面式轉(zhuǎn)為立體。繼國際大廠推出彎曲式「鰭式場效電晶體」后，國研院也選在3日發(fā)表領(lǐng)先全球的製程技術(shù)，做出彈性更高、體積更小的「多重鰭高電晶體」，大幅提升國內(nèi)半導(dǎo)體廠商的國際競爭力。
國研院研發(fā)出彈性更高、體積更小的「多重鰭高電晶體」。
奈米元件實驗室表示，「鰭式場效電晶體」(FinFET) 因為形狀有如魚鰭而得名，除了體積小較為省電，還可擴充晶片上可容納的電子元件密度，并讓不同大小的電流「各住適合的房型」，達到晶片空間利用的最佳化，藉此提升運作效能。
國研院指出，半導(dǎo)體積體電路的製造，可說是一場尺寸微縮與效能提升的競賽，半導(dǎo)體元件最先進的製程技術(shù)，約可在1平方公分的硅晶片上，容納約1億顆電晶體;「鰭式場效電晶體」技術(shù)一旦推出，不只讓設(shè)計更具彈性，還可在同樣面積增加約2千萬顆電晶體，等于節(jié)省了兩成的製作成本。
國研院還說，此技術(shù)已經(jīng)申請專利，且自12月起，將為國內(nèi)學(xué)術(shù)界開放製作平臺，方便其研發(fā)各種元件雛型與製程技術(shù)，讓學(xué)術(shù)前瞻研究與產(chǎn)業(yè)接軌;預(yù)估在5年內(nèi)，就能協(xié)助業(yè)界量產(chǎn)「多重鰭高的鰭式場效電晶體」
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